20年論争決着、磁性半導体の強磁性示す仕組み解明：新たなスピントロニクス素子の開発を加速か（2/2 ページ）

東北大学らの研究グループは、磁性半導体の（Ga,Mn）Asが強磁性を示すメカニズムを解明した。新たなスピントロニクス素子の開発を加速させるものとみられている。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

「不純物モデル」では説明できず

　今回の実験結果から、p-dツェナーモデルではホールキャリアの存在を示すフェルミ準位の位置が、As結合軌道内にあることを明らかにした。逆に、As結合軌道が不純物帯の下に位置する不純物モデルでは、それを説明できないことも分かったという。

（Ga,Mn）Asの強磁性モデル 出典：東北大学

　研究グループは、（Ga,Mn）Asの強磁性の仕組みを実験的に解明できたことで、高機能化した磁性半導体材料の設計や、新たなスピントロニクス素子の開発を加速させるとみている。