SanDiskが語る、抵抗変化メモリの長期信頼性：福田昭のストレージ通信（50） 抵抗変化メモリの開発動向（9）（2/2 ページ）

今回は、抵抗変化メモリ（ReRAM）の長期信頼性について報告する。具体的には、書き換え可能回数（Endurance Cycles）とデータ保持期間（Data Retention）についての研究実績を紹介したい。

[福田昭，EE Times Japan]

データ保持時間とリセット電流／温度の関係

　次はデータ保持期間である。データ保持期間については2枚のグラフが示された。最初のグラフは、リセット電流とデータ保持期間の関係である。リセット電流が1μAのときは、約10年（10⁵時間）のデータ保持期間を達成できている。ところが、リセット電流が10nA〜100nAに下がると、データ保持期間は10時間〜30時間と極端に短くなってしまう。これはかなり困った状況だ。

ReRAMのデータ保持期間とリセット電流の関係。出典：SanDisk（クリックで拡大）

　2枚目のグラフは、温度とデータ保持期間の関係である。幸い、温度上昇に対して抵抗変化メモリはかなり強い。150℃でも10年のデータ保持期間を達成できている。もちろん研究レベルのデータなので、そのまま製品の仕様となるわけではない。それでも心強いデータではある。

ReRAMのデータ保持期間と温度の関係。出典：SanDisk（クリックで拡大）

（次回に続く）

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