IntelはEUV競争を静観か、導入時期は明言避ける：SamsungとTSMCは導入へ向け加速（2/2 ページ）

EUV（極端紫外線）リソグラフィの開発、導入をめぐって競争を続けてきたIntel、Samsung Electronics、TSMCだが、ここのところIntelは、1歩引いて静観しているようだ。

[Rick Merritt，EE Times]

ファウンドリー各社の投資額

　Hutcheson氏によると、Intelは引き続き、従来の規模で設備投資を行う予定である。

　Intelの2017年の設備投資予測額は120億米ドルだ。それに対し、Samsungは170億米ドル、TSMCは100億米ドルの設備投資をそれぞれ見込んでいる。2016年には、Intelは95億米ドル、Samsungは115億米ドル、TSMCは102億米ドルをそれぞれ設備投資に投入した。ファウンドリー業界4番手のGLOBALFOUNDRIESの年間設備投資額は、過去2年、25億〜28億米ドルで推移しており、上位3社から大きく引き離されている。

　Hutcheson氏によると、Samsungは過去数年にわたり、3D（3次元） NAND型フラッシュメモリの製造を強化すべく、最大規模の設備投資を行ってきたという。3D NANDフラッシュに大規模な投資を行っているのはIntelも同様だ。Intelの設備投資の大部分は、中国・大連の3D NANDフラッシュ製造施設の他、米国ユタ州リーハイ（Lehi）でMicron Technologyと共同開発している「3D XPoint」メモリの製造施設にそれぞれ投じられるという。

　Hutcheson氏は、2017年第3四半期はDRAMやNANDフラッシュで供給不足が生じたと話した。同氏は、その傾向は同年第4四半期にも続くと見ている。Hutcheson氏は、「Intelも全力投球してはいるが、Samsungの3D NANDフラッシュの拡大には目を見張るものがある」との見解を述べた。

【翻訳：青山麻由子、滝本麻貴、編集：EE Times Japan】