半導体前工程の設備投資額、2019年まで4年連続成長へ：中国が最大市場に

半導体前工程ファブに対する設備投資額は、4年連続で成長する見通しだ。中国における新工場の建設ラッシュが需要を押し上げる。2019年には投資額で韓国を抜き、中国が世界最大の地域になるとSEMIは予測する。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

中国の量産ファブ、2017年に26棟が建設着工

　SEMIは2018年3月12日（米国時間）、半導体前工程ファブに対する設備投資額を発表した。これによると、2016年から2019年まで4年連続の増加になることが分かった。また、2019年には韓国を抜き、中国がファブ装置投資額で世界最大の地域になると予測する。

半導体前工程ファブに対する設備投資額の実績と予測 出典：SEMI

　SEMIが発行する最新レポート「World Fab Forecast」によると、半導体前工程ファブの設備投資額は、2017年に過去最高を記録した後も好調に推移する見通しだ。2018年には前年比9％増、2019年も5％増と続伸する。これらの伸びは、中国における需要の拡大によるものとみられる。

　中国地域では、外資系企業を中心に新たな量産ファブの建設が続く。2017年に着工された建屋数は26棟にも達している。これら新工場への設備導入が2018年から2019年にかけて行われる予定である。こうした投資環境を背景に、中国のファブ装置投資額は、2018年に前年比57％増、2019年も60％増と、極めて高い水準で推移する見通しだ。

　この結果、2019年には中国での設備投資額が韓国を抜き、最大規模の地域となる可能性が高い。また、今後は中国系企業による投資も増える見通しで、その比率は2017年の33％から、2019年には45％に上昇すると予測する。

中国では26棟の量産ファブが2017年に建設着工した 出典：SEMI

　これに対し韓国のファブ装置投資額は、2018年に前年比9％減の180億米ドル、2019年に同14％減の160億米ドルと予測されている。特に韓国Samsungの設備投資額は、2017年に比べて2018年、2019年と減額予想となっているが、金額ベースでは企業として首位となる見込みである。一方、ファブ装置投資額で3位の台湾は、2018年に同10％減の約100億米ドルとなるが、2019年には同15％増の110億米ドルと回復する予想である。

　SEMIは製品分野別の投資額もまとめている。これによると、3D NANDフラッシュメモリに向けた投資が好調だ。2018年は3％増の160億米ドル、2019年も3％増の170億米ドルと予測した。DRAM向けは2018年に26％増の140億米ドルと大幅に増加するが、2019年は14％減の120億米ドルに減少する。ファウンドリーの投資額は、7nmプロセス対応の設備導入などにより、2018年は2％増の170億米ドル、2019年は26％増の220億米ドルと予測した。