マイコン大手Infineon Technologiesの埋め込みフラッシュメモリ技術：福田昭のストレージ通信（97） STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ（10）（2/2 ページ）

今回は、Infineon Technologiesが開発した埋め込みフラッシュメモリ技術「HS3P（Hot Source Triple Poly）」を取り上げる。HS3Pによるメモリセルトランジスタの動作原理や、どういった分野で実用化されているかを解説する。

[福田昭，EE Times Japan]

車載用、産業用、スマートカード用で実用化

　HS3P技術は車載用、産業用、スマートカード用に実用化されている。車載用では、コード格納用のフラッシュメモリと、データ格納用のEEPROM（フラッシュメモリによってEEPROMの動作をエミュレーションしている）がある。

　車載用マイコンに搭載したHS3Pフラッシュメモリでは、4Mバイトのコード格納用フラッシュメモリと、64Kバイトのデータ格納用EEPROMを内蔵した製品がある。動作温度範囲が−40℃〜＋125℃と広い。

　コード格納用フラッシュメモリのアクセス時間は30ナノ秒、プログラム速度は2Kビット/195マイクロ秒、書き換え可能回数は1000サイクルである。データ格納用EEPROMのアクセス時間は100ナノ秒、プログラム速度は64ビット/65マイクロ秒、書き換え可能回数は50万サイクルである。

65nm世代のHS3P技術による埋め込みフラッシュメモリの用途と概要 出典：STMicroelectronics（クリックで拡大）

65nm世代のHS3P技術による埋め込みフラッシュメモリを内蔵する、車載用マイコン「TC27xT」の例 出典：STMicroelectronics（クリックで拡大）

（次回に続く）

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