微細化限界に達したフラッシュをMRAMで置き換え：福田昭のストレージ通信（102） GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM（2）（2/2 ページ）

埋め込みフラッシュメモリが直面する課題は、微細化の限界である。GLOBALFOUNDRIESは、2xnm以下の技術世代に向けた埋め込み不揮発性メモリとして、MRAM（磁気抵抗メモリ）を考えている。

[福田昭，EE Times Japan]

22nm世代から埋め込みMRAMの製品化を開始へ

　GLOBALFOUNDRIESは講演で、130nm世代から7nm世代までの8世代に渡る、埋め込み不揮発性メモリのロードマップを明らかにした。ロードマップに掲載された不揮発性メモリは、MTP（Multiple Time Programmable）メモリ、フラッシュメモリ（eFlash）、フラッシュメモリの置き換えを想定したMRAM（eMRAM-F）、SRAMの置き換えを想定したMRAM（eMRAM-S）、単体のフラッシュメモリと単体のロジックを1個のパッケージに封止したSIP（Silicon In Package）フラッシュ（SIP Flash）である。

　MTPメモリは、130nm世代と55nm世代の自動車用IP（メモリのマクロ）を製品として供給している。埋め込みフラッシュ（eFlash）は、130nm世代と55nm世代の自動車用IP（メモリのマクロ）を供給中であり、2018年中には40nm世代の自動車用IPを製品化する計画である。

　フラッシュ代替の埋め込みMRAM（eMRAM-F）は、2018年に22nm世代のマクロを民生用と産業用に製品化する。そして2020年には、22nm世代で自動車用のマクロを供給する。これらの製品は将来、12nm世代へと微細化する計画である。

　SRAM代替の埋め込みMRAM（eMRAM-S）は、14nm世代から供給を始める。製品化の時期は未定である。将来は7nm世代へと微細化する予定だ。

埋め込み不揮発性メモリの製造技術別ロードマップ。出典：GLOBALFOUNDRIES（クリックで拡大）

（次回に続く）

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