FinFETやGAAにも適用可能なエアスペーサー形成技術：VLSIシンポジウム 2020（2/2 ページ）

オンラインで開催された半導体デバイス／回路技術に関する国際会議「VLISシンポジウム 2020」（2020年6月15〜18日／ハワイ時間）で、IBM Researchの研究グループは先端CMOSにエアスペーサーを導入する技術を発表した。

[Nitin Dahad，EE Times]

7層構造のナノシートGAAトランジスタ

　CEA-Letiは、FinFET技術の代替となる、新しいGAAナノシートデバイスの作製デモを披露した。低消費電力、高速動作によるデータ収集と処理が可能な、スマートフォンやノートPC、モバイルシステムなどのHPCアプリケーションをターゲットとする。

　研究グループが今回作製した、7層のシリコンチャンネルを積層したGAA NSトランジスタは、チャネル幅が15nm〜85nmで、既存の最先端技術と比べて2倍以上の性能を実現するという。その研究成果に関する詳細は、論文「7-Levels-Stacked Nanosheet GAA Transistors for High Performance Computing（HPC向け7層積層GAA NSトランジスタ）」にまとめられている。

　論文の著者の1人であるCEA-Letiの科学者、Sylvain Barraud氏は、「置換メタルゲート、インナースペース形成、SACを用いて作成した7層構造の積層ナノシートGAAトランジスタは、極めて高い電流駆動能力（Vdd＝1Vで3mA/μm）を持つ優れたゲート制御性を示し、2層構造のナノシートGAAトランジスタと比較して、ドレイン電流が3倍向上している」と説明した。

CEA-Letiが披露した7層構造のナノシートGAAトランジスタの電子顕微鏡写真 画像：CEA-Leti（クリックで拡大）

【翻訳：田中留美、編集：EE Times Japan】