この記事は、2020年9月3日発行の「モノづくり総合版 メールマガジン」に掲載されたEE Times Japan/EDN Japanの編集担当者による編集後記の転載です。
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「数十年に一度のブレークスルー」が当たり前の世界
先日、SiC-MOSFETで30年来の課題となっていた欠陥の解消において、ブレークスルーがあったという記事を掲載しました。
SiCと酸化膜との接合界面に発生する欠陥を、新しい酸化膜手法を開発したことで従来比で1桁減らすことができ、その結果、SiC-MOSFETの性能が10倍に向上するというものです。
反響は大きく、Twitterでも、欠陥の解明と性能の向上について称賛の声が相次ぎました。
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