東芝、耐圧1200VのSiC MOSFETを発売：機器の電力損失を大幅に削減

東芝デバイス＆ストレージは、耐圧1200VのSiC（炭化ケイ素）MOSFET「TW070J120B」を開発、出荷を始めた。産業機器向けAC-DCコンバーターや太陽光インバーター、大容量の双方向DC-DCコンバーターなどの用途に向ける。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

高速スイッチングと低オン抵抗特性を実現

　東芝デバイス＆ストレージは2020年10月、耐圧1200VのSiC（炭化ケイ素）MOSFET「TW070J120B」を開発、出荷を始めた。産業機器向けAC-DCコンバーターや太陽光インバーター、大容量の双方向DC-DCコンバーターなどの用途に向ける。

TW070J120Bの外観

　TW070J120Bは、順方向電圧が−1.35V（代表値）と低いSiC SBD（ショットキーバリアダイオード）を内蔵した。入力容量は1680pF（代表値）で、ゲート入力電荷量は67nC（代表値）、オン抵抗は70mΩ（代表値）とそれぞれ低い。ゲートしきい値電圧は4.2〜5.8Vと高く設定し、誤動作をしにくくした。

　これらの電気的特性から、耐圧1200VのシリコンIGBTに比べ、ターンオフスイッチング損失を約80％、スイッチング時間（下降時間）を約70％それぞれ低減している。しかも20A以下のドレイン電流で低オン電圧特性を実現した。パッケージはTO-3P（N）で供給する。