Micron、1αnm世代のDRAMの量産出荷を開始：前世代に比べメモリ密度は40％増

[村尾麻悠子，EE Times Japan]

1αノードを適用した8Gビット DDR4 DRAMのダイ 画像：Micron Technology

　Micron Technology（以下、Micron）は2021年1月26日（米国時間）、1α（アルファ）nm世代を適用したDRAM製品の量産出荷を開始したと発表した。具体的には、同社の台湾工場で、コンピューティング顧客向けDDR4メモリおよび「Crucial」（Micronのコンシューマー向けブランド）のPC向けDRAM製品の量産を開始。また、モバイル分野の顧客による認証用としてLPDDR4のサンプルの提供も開始した。

　DRAMは、20nmから10nm世代の間に、1Xnm世代、1Ynm世代、1Znm世代、そして1αnm世代、1β（ベータ）nm世代のように微細化が進むとされているが、各世代の明確な加工寸法はメーカーにより差があり、はっきりと提示しないケースも多い。

　Micronも具体的な寸法はリリースでは明かしていないが、メモリ密度はMicronの従来の1Znm世代に比べ40％向上するとしている。また、1αnm世代を適用したモバイルDRAMにおいては、同様に1Znm世代に比べ15％の省電力化を達成したとする。

　1αnm世代では、まずは8Gビット品と16Gビット品をそろえる。2021年中に、1αnm世代をMicronのDRAM製品ポートフォリオ全体に統合し、データセンターからクライアント、コンシューマー、産業用途、車載といった、現在DRAMが使用されている全ての環境に対応する予定だ。