米国のルネサスが販売している8MビットのSTT-MRAM：福田昭のストレージ通信（194） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（21）（2/2 ページ）

今回は、MRAMおよびSTTT-MRAMの開発ベンチャーであるAvalanche Technologyの製品事例を紹介する。

[福田昭，EE Times Japan]

2019年10月にIDTがAvalancheの4Mビット〜16MビットMRAMを発売

　2019年10月17日（米国時間）にIDT（Integrated Device Technology）は、Avalancheが開発したMRAMの販売を始めたと発表した（ニュースリリース）。IDTは2019年3月30日にルネサス エレクトロニクスによって買収されており、発表当時はルネサスの100％子会社だった。その後、IDTはルネサスに統合され、2020年1月1日付で「ルネサス エレクトロニクス・アメリカ（Renesas Electronics America Inc.）」となった。同年1月以降、IDTの製品は「ルネサス（Renesas）」にブランド名を変更した。

IDTが2019年10月17日（米国時間）に発表したニュースリリースの添付画像（クリックで拡大）

磁気抵抗メモリ（MRAM）およびスピン注入型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM）の開発ロードマップ。2019年の矢印（筆者が追加）が、Avalancheの開発によってIDT（後にRenesas Electronics America）が販売を始めたSTT-MRAM製品。出典：FMS 2020の講演「Technology Trend：NAND ＆ Emerging Memory」のスライド（クリックで拡大）

8MビットMRAM「M3008204」のパッケージを開封してダイを分析

　ルネサス エレクトロニクス・アメリカの公式資料によると、販売しているMRAMの製品名は「Mxxxx204ファミリ」で、記憶容量は4Mビット/8Mビット/16Mビット、入出力インタフェースはシリアル（QSPI）、入出力周波数は最大108MHz、語構成は×4ビット、電源電圧は3.3Vあるいは1.8V、長期信頼性は書き換えサイクル数が最小10¹⁴サイクル、データ保持期間が105℃で最小10年間となっている。製造技術は、40nm世代の垂直磁気記録型スピン注入タイプ（pSTTタイプ）である。

米国ルネサス（ルネサス　エレクトロニクス・アメリカ（Renesas Electronics America Inc.））が販売しているMRAM「M3008204」のパッケージとシリコンダイの撮影画像。出典：FMS 2020の講演「Technology Trend：NAND ＆ Emerging Memory」の配布資料（クリックで拡大）

　Choe氏の講演では、8ピンのDFNパッケージに封止した8Mビットの「M3008204」を開封し、シリコンダイを撮影した画像を示していた。シリコンダイには、Avalancheの刻印（マーキング）が施されていた。なおTechInsightsのWebサイトでCho氏が2020年9月25日付で公表したブログ（無償で閲覧できるのは一部のみ）によると、「M3008204」のメモリセル面積は0.032μm²であり、磁気トンネル接合（MTJ）は第1層金属配線（M1）の下に、コンタクトとの間に形成されていた。

　また、電子部品と半導体のオンライン通販サイト「マルツ」では、「M30082040054X0IWAY」を税込み単価2783円で販売していた（2021年4月22日時点の閲覧情報（参考））。

（次回に続く）

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