東芝、SiCモジュール向けパッケージ技術を開発：面積を約20％削減、信頼性は2倍に

東芝デバイス＆ストレージは、SiC（炭化ケイ素）モジュール向けパッケージ技術を開発したと発表した。従来のパッケージ技術に比べ、面積を約20％削減でき、製品の信頼性は2倍に向上するという。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

銀焼結による接合を採用

　東芝デバイス＆ストレージは2021年5月、SiC（炭化ケイ素）モジュール向けパッケージ技術を開発したと発表した。従来のパッケージ技術に比べ、面積を約20％削減でき、製品の信頼性は2倍に向上するという。

　開発したパッケージ技術「iXPLV」は、銀焼結による接合を採用した。これにより、素子と銅板の接合部が劣化するのを抑えることができるという。しかも、従来のはんだによる接合に比べて熱抵抗が小さく、パッケージ内部に熱がこもりにくいため、チップの実装密度を高めることが可能になり、パッケージの面積削減を可能にした。

　例えば、同じ耐圧の製品で外形寸法を比べると、従来品の140×130mmに対し、iXPLVは140×100mmと小型化できる。また、オンとオフを繰り返して製品の劣化を評価するパワーサイクル試験において、5％以上の電圧変化が生じるまでのサイクル数は、従来品の約2倍になった。

iXPLVの外観とパワーサイクル試験の結果 （クリックで拡大） 出典：東芝デバイス＆ストレージ

　iXPLVを採用したSiCモジュール製品は、2021年5月下旬から量産を始める予定である。なお、開発した技術の詳細については、オンラインで開催されたパワー半導体の国際学会「PCIM Europe」で発表した。