Micronの四半期業績、前年比の売上高が33％増、利益が3倍と好調：福田昭のストレージ通信（208）（2/2 ページ）

今回は、Micron Technologyの2022会計年度第1四半期（2021年9月〜11月期）の業績を紹介する。

[福田昭，EE Times Japan]

2021年のビット需要成長率はDRAMが20％台前半、NANDが30％台後半に

　MicronはDRAMとNANDフラッシュメモリの需要動向（市場全体）も公表した。2021年（暦年）にDRAMのビット需要成長率は20％台の前半、NANDフラッシュメモリのビット需要成長率は30％台の後半になると見込む。2022年（暦年）は、DRAMのビット需要が10％台半ばから10％台の後半で成長し、NANDフラッシュメモリのビット需要が約30％の成長になると予測する。長期的にはDRAMが年平均で10％台の半ばから後半、NANDフラッシュが年平均で約30％成長すると予想する。

　Micronのビット成長率は2022年（暦年）に市場と同じ水準になると期待する。2022会計年度は後半に強いビット需要を期待できることから、過去最高の売上高となる予定。同会計年度の設備投資額は110億米ドル〜120億米ドルを計画する。

DRAMとNANDフラッシュメモリの需要動向（ビット換算値）［クリックで拡大］ 出所：Micron Technology（2021年12月20日公表の連結決算概要スライドから）

2024年には次世代DRAMの製造にEUVリソグラフィ技術を導入

　MicronはDRAMとNANDフラッシュメモリの量産と開発の状況を世代別に公表してきた。DRAMは1znm世代と1アルファ（α）nm世代がビット換算で量産の主流世代となった。2024年には1ガンマ（γ）nm世代の量産をEUV（極端紫外線）リソグラフィ技術によって始める計画だ。

　NANDフラッシュメモリは176層の3D NANDフラッシュがビット換算で量産の主流となった。メモリセル技術では、浮遊ゲート技術（96層以下）からリプレイスメント・ゲート技術（電荷捕獲方式のメモリセルを製造する技術の1つ、128層以上）への移行が上手くいったとする。また周辺回路とメモリセルアレイを積層するCuA（CMOS under Array）技術と、1個のメモリセルに4ビットを記憶するQLC（Quadruple Level Cell）技術を今後も継続して採用していく。

DRAMとNANDフラッシュメモリの量産世代と開発世代の状況［クリックで拡大］ 出所：Micron Technology（2021年12月20日公表の連結決算概要スライドから）

（次回に続く）

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