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Samsung、2027年に1.4nmプロセス量産へ：先端ノード生産能力を3倍に（2/2 ページ）
Samsung Electronicsは、2027年に1.4nmプロセスでの量産を行うというファウンドリー事業に関するロードマップを発表した。
3Dパッケージング技術「X-Cube」量産は2024年
Samsungは、ファウンドリー事業の顧客に向けて、2.5D／3Dヘテロジニアスインテグレーションの開発を加速している。
同社によると、2024年にはマイクロバンプインターコネクトを備えた3Dパッケージング技術「X-Cube」を用いた量産の準備が整うという。2026年には、よりバンプの少ないバージョンのX-Cubeが利用可能になるようだ。
Samsungは、HPC、自動車、5G、IoT（モノのインターネット）における高性能および低消費電力分野をターゲットにしている。今後は、HPCとモバイル向けにGAAベースの3nmプロセスのサポートを強化する一方で、HPCと車載アプリケーションに向けてカスタマイズされた4nmプロセスを多様化していく計画だという。
Samsungは車載領域の顧客に対し、28nm技術をベースにしたeNVM（組み込み不揮発メモリ）プロセスを提供している。同社は、2024年に14nm技術ベースのeNVMソリューションを発表するほか、発表の時期は未定だが14nm技術ベースのeNVMも追加し、プロセスノードを拡大する計画だ。
Samsungは、8nm RFプロセス技術での量産を行っており、5nm RFについては開発中だ。
同社は、2027年までに先端ノードの生産能力を3倍にする計画だという。
同社のファウンドリー施設は、韓国と米国テキサス州にある。
【翻訳：青山麻由子、編集：EE Times Japan】
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