データセンター向け200Gbps EMLチップを開発：800Gbps／1.6Tbpsの通信が可能に

三菱電機は2023年3月2日、次世代データセンター向け800Gビット/秒、1.6Tビット/秒光トランシーバーに搭載する「200Gbps（112Gbaud PAM4） EMLチップ」を開発したと発表した。

[半田翔希，EE Times Japan]

　三菱電機は2023年3月2日、次世代データセンター向け800Gビット/秒（bps）、1.6Tbpsの光トランシーバーに搭載する「200Gbps（112Gbaud PAM4） EML（Electro-absorption Modulator integrated Laser diode）チップ」（以下、200Gbps EMLチップ）を開発したと発表した。同製品は、2024年の発売／量産化を目指していて、波長数を8波長にするなど、通信方式の多様化にも対応を進めている。

左＝200Gbps EMLチップのイメージ／右＝112Gbaud PAM4 波形 出所：三菱電機

　近年、データセンター内でデータ通信を切り替えるスイッチを構成する光トランシーバーは、動画配信サービスの普及や情報のクラウド化によるデータ通信量の爆発的な増加を背景に、高速／大容量化が求められている。

　今回開発した200Gbps EMLチップは、高光出力に優れる埋込型レーザーと、高消光比／広帯域に優れるハイメサ型変調器を同一チップ上に集積した三菱電機独自のハイブリッド導波路構造を採用したことで、同社の従来製品比で2倍となる200Gbpsの高速動作を実現した。

ハイブリッド導波路 出所：三菱電機

　また、CWDM（Coarse Wavelength Division Multiplexing）の4波長に対応した4つのチップの信号を合波させることで、1本の光ファイバーで800Gbpsの通信、さらに、チップを8つに増やすことで1.6Tbpsの通信が可能だ。

800Gbps 光トランシーバーの構成例 出所：三菱電機