キオクシアら、218層の3次元フラッシュメモリ発表：第8世代の「BiCS FLASH」製品

キオクシアとウエスタンデジタルは2023年3月、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の第8世代品（218層）を発表した。スケーリングとウエハーボンディング技術を用い、大容量で高い性能、低コストを実現した。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

前世代品に比べ、ビット密度の向上と高速なNAND I/Oを実現

　キオクシアとウエスタンデジタルは2023年3月30日、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の第8世代品（218層）を発表した。スケーリングとウエハーボンディング技術を用い、大容量で高い性能、低コストを実現した。

　新製品は、4プレーン動作の1TビットTLC（トリプルレベルセル）を使用した品種と、同QLC（クワッドレベルセル）を使用した品種の2種類を用意している。CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術とスケーリング技術を採用することで、前世代品に比べ、ビット密度は50％以上も向上したという。また、NAND I/O速度は60％も向上し、3.2Gビット/秒以上を達成した。さらに20％の書き込み性能と読み出しレイテンシの改善を行った。

　新製品は、スマートフォンからIoT機器、データセンターまで、幅広い用途に提案していく。既に特定顧客向けには製品サンプルの供給も始めているという。