Rapidusへの政府支援は累計9200億円に、後工程プロジェクトも発進：最大5900億円の追加支援が決定

Rapidusは2024年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）に提案し、採択された先端半導体前工程のプロジェクトの2024年計画／予算が承認され、また、新たに提案していた先端半導体後工程のプロジェクトが採択されたと発表した。追加の支援額は、前工程プロジェクトが最大5365億円、後工程プロジェクトが最大535億円だ。

[半田翔希，EE Times Japan]

　Rapidusは2024年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）から、「日米連携に基づく2nm世代半導体の集積化技術と短TAT製造技術の研究開発」の2024年度の計画と予算が承認されたと発表した。また、今回新たに提案した「2nm世代半導体のチップレットパッケージ設計・製造技術開発」も採択されたという。

　2024年度の支援額は、「日米連携に基づく2nm世代半導体の集積化技術と短TAT製造技術の研究開発」が最大5365億円、「2nm世代半導体のチップレットパッケージ設計・製造技術開発」が最大535億円だ。

　Rapidusは、2022年度／2023年度の「日米連携に基づく2nm世代半導体の集積化技術と短TAT製造技術の研究開発」において最大3300億円の支援を既に受けている。今回の追加支援により、Rapidusへの累計支援額は最大9200億円となる。

Rapidusへの過去の支援概要と追加支援（2024年度）の内容［クリックで拡大］ 出所：経済産業省

2.xD／3Dのチップレットパッケージの設計開発を目指す

　「日米連携に基づく2nm世代半導体の集積化技術と短TAT製造技術の研究開発」の2024年度計画では、米国IBMと共同で取り組んでいる2nm世代のロジック半導体の量産技術の開発や、北海道千歳市のパイロットライン「IIM（Innovative Integration for Manufacturing）」の建設およびクリーンルームの稼働開始、2025年4月のライン稼働に向けたEUV（極端紫外線）露光機をはじめとする製造装置の導入を進める。

「日米連携に基づく2nm世代半導体の集積化技術と短TAT製造技術の研究開発」の概要［クリックで拡大］ 出所：経済産業省

　今回新たに採択された「2nm世代半導体のチップレットパッケージ設計・製造技術開発」では、2nm世代の半導体を用いたパッケージの大型化および低消費電力化を実現する実装量産技術、設計に必要なデザインキット、チップレットのテスト技術の確立に向けて、先端チップレットパッケージ（2.xD［次元］／3D）の設計／製造技術を開発する。また、国際連携として、米国IBMや独Fraunhofer、シンガポールの先端半導体研究機関であるA^*STAR IME（Institute of Microelectronics）と協力する。

「2nm世代半導体のチップレットパッケージ設計・製造技術開発」の概要［クリックで拡大］ 出所：経済産業省

　なお、後工程に関しては、IIMに隣接するセイコーエプソン 千歳事業所の一部を活用し、パイロット段階の研究開発を進める予定だ。

　Rapidusは、今回の発表について「後工程の分野は、前工程の最先端半導体開発と併せて技術革新が求められる分野だ。設計支援から前工程、後工程を一貫して行うことで短TATでの半導体製造を実現するRapid and Unified Manufacturing Service（RUMS）の構築を目指す」とコメントした。

　経済産業大臣の齋藤健氏は、今回の支援について「Rapidusが取り組む次世代半導体は、日本産業全体の国際競争力の強化、経済成長の鍵を握る最重要技術だ。昨今のグローバルトレンドとして、先端前工程だけでなく、先端後工程の重要性も増しているため追加の支援を決定した。経済産業省は今後も、プロジェクトの成功に向けて全力で支援していく」と語った。