FMSの「生涯功績賞」を3D NANDフラッシュ開発で東芝の5人が受賞：福田昭のストレージ通信（267）（2/2 ページ）

「FMS（Flash Memory Summit）」では毎年、フラッシュメモリ技術関連で多大な貢献を成した人物に「Lifetime Achievement Award（生涯功績賞）」を授与してきた。2024年の「FMS（Future Memory and Storage）」では、東芝（当時）で3次元NANDフラッシュメモリ技術「BiCS-FLASH」を開発した5人の技術者が同賞を受賞した。

[福田昭，EE Times Japan]

DRAM開発チームが取り組んだNANDフラッシュの3次元化

　そしてことし（2024年）、「フューチャーメモリアンドストレージ（FMS：Future Memory and Storage）」に名称を変更したFMSは「Lifetime Achievement Award（生涯功績賞）」を、東芝（当時）で3次元NANDフラッシュメモリ（3D NAND）技術「BiCS-FLASH」を開発した5人の技術者に授与した。

2024年の「Lifetime Achievement Award（生涯功績賞）」の受賞者と功績に関する説明の一部。FMSのWebサイトから筆者が抜粋したもの［クリックで拡大］

受賞者の一覧。キオクシア（元東芝および元東芝メモリ）が「Lifetime Achievement Award（生涯功績賞）」の受賞決定を公式発表した2024年7月25日のリリースから抜粋した［クリックで拡大］

2024年の「Lifetime Achievement Award（生涯功績賞）」の記念トロフィー。2024年8月6日（米国太平洋時間）にキーノート講演と同じ会場で授賞式が催された。受賞者を代表して勝又竜太氏がトロフィーを受け取った。筆者が会場で撮影したもの［クリックで拡大］

　3D NANDフラッシュメモリの開発には、東芝でDRAM開発に従事していた技術者が多く携わった。同社が汎用DRAM事業からの撤退を決めたため、大量のDRAM技術者が他部門に異動した。2000年〜2001年ころのことだ。

　DRAMのメモリセルは1990年代に立体化しており、選択トランジスタとキャパシタを縦にレイアウトする構造は製品として確立していた。このため、フラッシュメモリのセルを縦に積み重ねて記憶密度を高める手法は、比較的素直に出てきたという。

「Lifetime Achievement Award（生涯功績賞）」の受賞者一覧（2018年〜2024年）。表中敬称略。FMSのWeb掲載資料などから筆者がまとめた［クリックで拡大］

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