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レゾナック、Soitecと8インチSiC貼り合わせ基板を共同開発へ：生産性向上に向け
レゾナックは2024年9月24日、半導体基板材料を製造するフランスのSoitecと、パワー半導体に使用される8インチSiC（炭化ケイ素）エピタキシャルウエハーの材料となるSiC貼り合わせ基板に関する共同開発契約を締結したと発表した。
レゾナックは2024年9月24日、半導体基板材料を製造するフランスのSoitecと、パワー半導体に使用される8インチSiC（炭化ケイ素）エピタキシャルウエハーの材料となるSiC貼り合わせ基板に関する共同開発契約を締結したと発表した。
レゾナックは、SiC単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたSiCエピウエハーの生産および大口径化を進めていて、既に8インチ品のサンプル出荷を開始している。一方、ソイテックは、SiC単結晶基板を加工し、その加工面をサポート基板となる多結晶SiCウエハーに貼り合わせ、単結晶基板を薄膜分離することで、1枚のSiC単結晶基板から複数のSiCウエハーを生成する「Smart SiC技術」を保有している。シリコンウエハーでは既に実用化されていて、SiCウエハーに適用した場合は、生産性の向上に加え、製造時の二酸化炭素排出量を最大70％削減できる見込みだ。
今回の共同開発では、レゾナックからソイテックにSiC単結晶を供給し、ソイテックがその単結晶を使ってSiC貼り合わせ基板を製造する。これにより、8インチSiCウエハーの生産性を向上を目指す。なお、開発完了時期および市場投入時期は「未定」（同社広報）だという。
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