キヤノン、ナノインプリント半導体製造装置を出荷：米国の半導体コンソーシアム向け

キヤノンは、ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を、米国テキサス州にある半導体コンソーシアム「Texas Institute for Electronics」（TIE）に向けて出荷した。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

5nmプロセスノードに相当する最小線幅14nmのパターン形成が可能

　キヤノンは2024年9月26日、ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を、米国テキサス州にある半導体コンソーシアム「Texas Institute for Electronics」（TIE）に向けて出荷したと発表した。

　FPA-1200NZ2Cは、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術を用いた製造装置で同社が初めて実用化し、2023年10月に製品発表を行った。NIL技術は回路パターンを刻み込んだマスクを、ウエハー上のレジストにハンコのように押し付けることで回路パターンを形成する。

　光を照射して回路を焼き付けるこれまでの投影露光技術とは異なり、マスク上の微細な回路パターンを押し付けるだけで、より忠実にウエハー上に再現できる。このため、製造工程での電力消費やコストを削減できるという。FPA-1200NZ2Cは、5nmプロセスノードに相当する最小線幅14nmのパターン形成が可能である。

　TIEは、米国テキサス大学オースティン校が支援するコンソーシアムで、2021年に設立された。州政府や自治体、半導体企業、国立研究所などで構成され、先端パッケージング技術を含む先端半導体技術の課題解決に取り組んでいる。今回導入するFPA-1200NZ2Cは、先端半導体の研究開発や試作品の製造などに活用する予定だという。

FPA-1200NZ2Cの外観と作業イメージ［クリックで拡大］出所：キヤノン