300mmファブ装置の投資額、今後3年で3740億米ドルに SEMI予測:2025年は初の1000億米ドル台に
300mmファブ装置に対する世界投資額が2025年に初めて1000億米ドル台に達し、2026年から2028年までの3年間で総額3740億米ドルに達するという予測をSEMIが発表した。「AIチップの需要増」や「主要地域における半導体の自給率向上に向けた取り組み」などが設備投資に弾みをつける。
AIチップの需要増や半導体の自給率向上が設備投資を後押し
SEMIは2025年10月8日(米国時間)、300mmファブ装置に対する世界投資額が2025年に初めて1000億米ドル台に達し、2026年から2028年までの3年間で総額3740億米ドルに達するという予測を発表した。「AIチップの需要増」や「主要地域における半導体の自給率向上に向けた取り組み」などが設備投資に弾みをつける。
今回の予測は、最新の「300mm Fab Outlookレポート」に基づき発表した。これによると、300mmファブ装置に対する投資額は、2025年に前年比7%増の1070億米ドルになる。2026年は同9%増の1160億米ドル、2027年は同4%増の1200億米ドルとなり、2028年には同15%増の1380億米ドルに達すると予測した。
300mmファブ装置に対する投資額をセグメント別にみた。ロジック&マイクロセグメントでは、2026年から2028年にかけて1750億米ドルの投資が行われると予測した。2nm以下の先端プロセス技術への対応が進められる。GAA(Gate-All-Around)および裏面電力供給技術などへの対応や、1.4nmプロセス技術を用いたデバイス量産に向けた投資も欠かせないという。
メモリセグメントでは、この3年間の投資を1360億米ドルと予測した。DRAM関連装置に対する投資額は790億米ドル、3D NAND関連装置に対する投資額は560億米ドルに達する見込みだ。特にAI学習がHBM(広帯域メモリ)の需要を押し上げる。また、推論により生成されるAIコンテンツによってストレージ容量が増え、3D NANDフラッシュの需要が拡大するという。
この他、アナログ関連セグメントでは、2026年からの3年間で410億米ドル以上の投資額となる。化合物半導体を含むパワー関連セグメントは、2026年から2028年にかけて270億米ドルの投資額が見込まれている。
同レポートでは、300mmファブ装置に対する地域別の投資額もまとめている。中国が首位を維持し、2026年から2028年にかけて940億米ドルを投資する。第2位は韓国で、2026年から2028年までに860億米ドルの投資が予定されている。これに続くのが台湾だ。最先端ファウンドリーの生産能力拡大を軸に、3年間で750億米ドルの投資を行う。米国も3年間で600億米ドルの投資を行う予定だ。日本では320億米ドルの投資額が見込まれている。
SEMIのプレジデント兼CEOを務めるAjit Manocha氏は、「半導体業界は、AIによって実現された技術への前例なき需要と、半導体自給率向上への新たな注力にけん引され、大きな変革を迎えようとしている。世界的に300mmファブが拡大されることで、データセンターやエッジデバイス、そしてデジタル経済の進展が可能になる」とコメントしている。
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