ニュース
発熱低減とノイズ抑制、ロームの三相モータードライバーIC：独自の駆動ロジック搭載
ロームは、中耐圧（12〜48V）向けの三相ブラシレスDCモータードライバーIC「BD67871MWV-Z」を開発、量産を始めた。独自の駆動ロジックを搭載することで、FETの発熱低減とEMI抑制を両立させた。
EMIレベルが同等品であればFETの発熱を約35％低減
ロームは2025年10月、中耐圧（12〜48V）向けの三相ブラシレスDCモータードライバーIC「BD67871MWV-Z」を開発、量産を始めたと発表した。独自の駆動ロジックを搭載することで、FETの発熱低減とEMI抑制を両立させた。
BD67871MWV-Zは、FETからの電圧情報を基に、ゲート制御を即時に行う独自のアクティブゲートドライブ方式「TriC3（トリックスリー）」を搭載した。ゲート電流を3段階に制御するこの方式を活用することで、高速かつ高効率な動作を実現。同時にリンキングの発生を抑制することで、ノイズの低減と安定した動作を可能にした。
定電流駆動の同社従来品に比べ、同等のEMIレベルであればFETの発熱を約35％低減できるという。パッケージは外形寸法が4.0×4.0×1.0mmのUQFN28AV040Aで供給する。サンプル価格（税別）は800円。
ロームは、新製品を用いた機器開発を支援するための評価ボード「BD67871MWV-EVK-003」も用意している。また、新製品と同一のパッケージサイズやピン配置で、定電圧駆動の汎用モータードライバーIC「BD67870MWV-Z」「BD67872MWV-Z」も供給している。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
ロームが滋賀工場と国内製造4社を再編、前工程と後工程の2社に
ロームは、滋賀工場および、ローム・アポロ、ローム・ワコー、ローム浜松、ラピスセミコンダクタの国内製造関連4社を、前工程と後工程の製造会社2社に再編すると決定した。
ロームとInfineon、SiCパワー半導体のパッケージ共通化で協業
ロームとInfineon Technologiesが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体のパッケージ共通化で協業する。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。
「発想の転換で実現」低VFかつ低IRの保護用SBDを開発、ローム
ロームが、素子構造を根本から見直すことで低順方向電圧（VF）と低逆方向電流（IR）を両立した保護用ショットキーバリアダイオード「RBE01VYM6AFH」を開発した。
TO-247より省面積、ロームの新SiCパワーモジュール
ロームは、DOT-247パッケージを採用した2in1構成のSiCパワーモジュールを開発し、量産を始めた。PV（太陽光発電）用インバーターやUPS（無停電電源装置）、半導体リレーといった産業機器用途に向ける。
ロームのSiC搭載インバーター部品が量産開始、中国大手の新型EVに
ロームの第4世代炭化ケイ素（SiC） MOSFETベアチップを搭載した、ドイツ自動車部品大手Schaefflerの新型インバーターサブモジュールの量産が始まった。中国の大手自動車メーカーの新型電気自動車（EV）に搭載されるという。
「GaNのコストは5年以内にSi並みに」 ロームの勝ち筋は
「窒化ガリウム（GaN）は、遅くとも5年以内にシリコン（Si）のコストに追い付くだろう」――。ロームは、GaNパワー半導体の大きな課題の1つとされるコスト面について、こうした見解を示す。民生向け中心からAIサーバや車載などへの展開が加速し、本格化してきたGaNパワー半導体市場。ロームは、GaNのさらなる普及に注力しながら、独自の強みを生かし市場での存在感を高めていく方針だ。