GaN FETで低電力、高効率オーディオアンプ 車載などで注目：CRIが参考展示

CRI・ミドルウェアは「CEATEC 2025」（2025年10月14〜17日、幕張メッセ）に出展し、同社のサウンドミドルウェア「CRI D-Amp Driver」とGaN FET増幅素子を組み合わせたアンプモジュールの参考展示などを行った。

[杉山康介，EE Times Japan]

　CRI・ミドルウェア（以下、CRI）は「CEATEC 2025」（2025年10月14〜17日、幕張メッセ）に出展し、同社のサウンドミドルウェア「CRI D-Amp Driver」と窒化ガリウム電界効果トランジスタ（GaN FET）を組み合わせたアンプモジュールの参考展示などを行った。

GaN FET採用アンプモジュール［クリックで拡大］

増幅にGaN FET採用で低電力、高効率アンプを実現

　CRI D-Amp Driverは、マイクロコンピュータ（マイコン）に組み込むことで、音声出力処理をソフトウェア上で実施可能にするミドルウェア。本製品対応マイコンとHブリッジ回路でアンプモジュールを構成できるため、音声ICやアンプ回路といったハードウェアを削減できる。

　今回、展示されていたアンプモジュールは、Hブリッジ回路の増幅素子にGaN FETを採用。「一般的なD級アンプと比べて数分の1の電力で高効率、かつ低発熱な出力が可能。サイズもコイン大の、世界最小級のHi-Fiオーディオアンプだ」（CRI担当者）という。

D級アンプと比較［クリックで拡大］

　「オーディオ用ではない、電源用途のGaN半導体でも高音質を実現できる。放熱用のヒートシンクが不要で小型サイズを実現できることから、カーオーディオ用途などで注目されている」（CRI担当者）と続ける。本アンプモジュールはCRI D-Amp Driverの活用例を示す参考展示品で、実機としての販売は行われないものの、来年以降でサンプル品の提供を予定しているとのことだ。