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onsemiが縦型GaNパワー半導体開発、700Vと1200V品をサンプル提供：GaN-on-GaN技術で攻める（2/2 ページ）
onsemiが縦型窒化ガリウム（GaN）パワー半導体を開発した。GaN on GaN技術の製品で同社は「AIデータセンターや電気自動車（EV）など、エネルギー集約型アプリケーションによる世界的な電力需要の急増を背景に、onsemiは縦型GaNパワー半導体を発表した。この新デバイスは、これらの用途で電力密度、効率、堅牢性の新たな基準を打ち立てるものだ」と述べている。
横型と比べサイズは3分の1に、高出力用途に理想的
今回onsemiが発表した技術は、モノリシックダイ上で1200V以上の高電圧を扱いながら、高周波／大電流スイッチングを高効率で実現するよう設計されたデバイスだ。同社によると同技術を用いたハイエンド電力システムは、損失を約50％削減し、高周波動作によりコンデンサーやインダクターなどの受動部品も同程度に小型化できるとしている。また、市販の横型GaNデバイスと比較し、同社の縦型GaNデバイスは約3分の1のサイズとなっていて「こうした特長から縦型GaNは電力密度、熱特性、信頼性が重視される重要な高出力用途に理想的だ」としている。
onsemiは既に700Vおよび1200Vのデバイスをアーリーアクセス顧客向けにサンプル提供中だという。
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