パワー半導体
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2026年半導体市場の3大トピックを深掘り ―― DRAM不足の真相とTSMC、Intelの逆襲
2026年の半導体市場を占う「10の注目トピック」の中でも、特に反響の大きかった3点を徹底深掘りする。
中国が「半導体製造装置の自給自足」に苦戦している理由（前編）
中国が国内半導体メーカーに対し、新工場を建設時に前工程製造装置（WFE）全体の少なくとも50％を国内メーカーから調達することを実質的に義務付けていると報じられた。だが、この措置で中国は本当に国内WFE産業を加速できるのか。
「AIの進化」に追い付けない半導体開発 解決の道筋は
2026年1月に欧州で開催された「HiPEAC 2026」カンファレンスでは、AIの進化と半導体の進化に大きなギャップが生まれつつあることに対する懸念が示された。カンファレンスではこうしたギャップを解消するソリューションの他、熟練エンジニア不足にAIで対応する方法についても議論が行われた。
NANDを再定義、HBMを補完するAI用メモリ技術「HBF」
NANDダイを複数積層して大容量化を図る「高帯域幅フラッシュ（HBF）」は、HBMを置き換えるのではなく補完するAI向けメモリ技術として期待が高まっている。本稿ではその最新動向を紹介する。
ローム、TSMCライセンス受けGaN一貫生産へ 27年目標
ロームは2026年2月26日、TSMCと窒化ガリウム（GaN）技術のライセンス契約を締結し、GaNパワーデバイスの一貫生産体制をグループ内で構築すると発表した。TSMCのGaNファウンドリー事業撤退を受けてのことで、2027年中の生産体制構築を目指す。