「世界最高」電力効率74.3％のGaNパワーアンプ、富士通：絶縁膜挿入で漏れ電流抑制（2/2 ページ）

富士通は、パワーアンプにおいて、8GHzで「世界最高」（同社）の電力変換効率74.3％を達成する技術を開発したと発表した。窒化ガリウム（GaN） HEMTにおける高品質な絶縁ゲート技術を開発したことで、高効率と高出力の両立を実現したという。8GHzは6Gの候補周波数帯であるFR3（Frequency Range 3）の一部だ。

[浅井涼，EE Times Japan]

8GHzで「世界最高」の電力効率　3GHzにも適用可能

　これらの技術によって、FR3である8GHzの周波数において、74.3％の電力付加効率（PAE）と9.8W/mmの出力密度を同時に達成し、高効率と高出力の両立を実現した。富士通によるとPAE 74.3％という数値は、2026年3月4日時点で、5W/mm以上の出力を有するX帯パワーアンプにおいては世界最高の値だという。

8G〜12GHzのパワーアンプのベンチマーク［クリックで拡大］出所：富士通

　なお、同デバイスを4Gや5Gで用いられる周波数に近い3GHzで評価したところ、80.6％のPAEと10.5W/mmの出力密度が得られた。このことから、同技術は幅広い周波数に適用可能であるといえる。

　富士通は今後、同技術の実用化を目指し、実装技術の開発と信頼性の評価を進めていくという。ミリ波やサブテラヘルツ派などの高周波デバイスにも同技術を適用し、広い周波数範囲でワイヤレス機器の省電力化を目指す考えだ。