SK hynixの四半期決算、驚異の売上高営業利益率70％超え：福田昭のストレージ通信（309）（2/2 ページ）

今回は、韓国SK hynixの2026年度第1四半期（2026年1月〜3月期）の四半期業績を紹介する。売上高、営業利益ともに4四半期連続で過去最高を更新した。

[福田昭，EE Times Japan]

NANDフラッシュの平均価格が前期比で75％と驚異の上昇

　SK hynixの主力製品はDRAMとNANDフラッシュメモリである。2026年度第1四半期（2026年1月〜3月期）の売上高に占めるDRAMの割合は前期比2ポイント増の78％、NANDフラッシュメモリの割合は同2ポイント減の21％となった。金額そのものは両者とも前期比で増加した。

　DRAMの平均販売価格は前期比で65％前後（mid-60％）の上昇と大きく値上がりした。ビット換算の出荷量は前期と変わらない。言い換えると、伸びていない。

　NANDフラッシュメモリの平均販売価格は前期比で75％前後（mid-70％）とDRAMを超える大きな値上がりを見せた。ビット換算の出荷量は前期比で約10％減少した。

DRAMとNANDフラッシュメモリの売上高推移と用途別比率の推移［クリックで拡大］ 出所：SK hynix（2026年4月23日に公表された連結決算概要のプレスリリースから）

　製品別のハイライトはHBM、DRAM、NANDフラッシュメモリに分けて説明した。HBM（広帯域DRAMモジュール）は性能と歩留まり、品質、供給能力をさらに高める。最新製品のHBM4は開発の初期から有力顧客と緊密に相談しており、顧客の要求する性能仕様を順守しつつ、供給数量をスケジュール通りに増やしていく。

　DRAMでは、1c（1γ）nmノード世代LPDDR6品の開発を完了した。2026年後半には、フラグシップモデルのスマートフォン（新製品）に搭載が始まる。またNVIDIAの最新AIサーバ「Vera Rubin」に最適化した1c（1γ）nmノードの192GバイトSCAMM2モジュールを量産し始める。

　NANDフラッシュメモリでは、321層のQLC方式3D NANDフラッシュを搭載したコンシューマー向けSSD（cSSD）「PQC21」の供給を始めた。エンタープライズ向けSSD（eSSD）ではTLC NANDフラッシュ搭載の高性能モデルとQLC NANDフラッシュ搭載の大容量モデルをバランス良く配分する。

（次回に続く）

⇒「福田昭のストレージ通信」連載バックナンバー一覧