HBM内に冷却素子 「最も熱い箇所」直接冷やす新技術：SKの「iHBM」ソリューション

SK hynixは2026年5月、広帯域メモリ（HBM）のパッケージ内に冷却素子を搭載する「iHBM」技術を発表した。熱抵抗を30％低減し、高温／高圧の環境下でもチップを安定して動作させられるという。同社は、iHBMを「HBM5」を含む次世代HBM製品へ導入する予定だ。

[村尾麻悠子，EE Times Japan]

　SK hynixは2026年5月26日（韓国時間）、次世代の広帯域メモリ（HBM）向けに、HBMのパッケージ内に冷却素子（ICE：Integrated Cooling Elements）を搭載した「iHBM」技術を発表した。

　iHBMは、HBMとGPUを接続するハードウェアインタフェースであるD2D PHY（Die-to-Die Physical Layer）の真上にICEを配置することで、より効率的に熱を逃がす技術。D2D PHYはHBMにおいて最も熱が集中する箇所だという。iHBMにより、熱抵抗を30％低減し、高温／高圧の環境下でもチップを安定して動作させられるとする。

「iHBM」ソリューションの概念図［クリックで拡大］ 出所：SK hynix

　SK hynixは、独自のパッケージング技術である「MR-MUF（Mass Reflow Molded Under Fill）^＊）」をベースにしたWLP（Wafer Level Packaging）プロセスにより、iHBM搭載チップを安定して量産できるとする。さらに、iHBMは既存のSiP（System in Package）アーキテクチャとも設計の互換性が高いため、顧客は設計の調整を最小限に抑えつつ、iHBMを導入することが可能だ。

＊）MR-MUF：半導体を積層する際に使われる技術で、回路を保護するために、チップ間に液状の保護材を注入する。

　DRAMを高密度に積層するHBMは熱が集中しやすく、放熱／熱管理が重要な課題になっている。HBMを手掛けるメモリメーカーは、HBMの世代を重ねるごとに放熱構造も工夫してきた。SK hynixはリリースで、D2D PHYにおいて電力密度を効率的に管理することが、次世代HBMの競争力の源泉だと述べている。SK hynixは、iHBMを「HBM5」を含む次世代HBM製品へ導入する予定だ。

　なお、メモリの放熱問題を解消すべく、新たな構造のメモリ開発に取り組んでいるのがSAIMEMORYだ。DRAMダイを水平方向に積層するHBMに対し、SAIMEMORYはDRAMダイを垂直方向に並べる構造を持つ「ZAM（Z-Angle Memory）」を開発中だ。垂直に並べることで配線層を経由せずに、放熱できるようになる。