多層基板の層間接続材料を開発、エレファンテック：低抵抗かつ高信頼の接続が可能に

エレファンテックは、AIサーバや高速通信機器などに用いられる多層基板の層間接続に向けた銅ナノペースト「SAphire B」を開発した。複数の多層基板ブロック間を接続するための材料で、低抵抗かつ高信頼に接続できる。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

−55℃／125℃、1000サイクルの信頼性試験で抵抗値変化は1％未満

　エレファンテックは2026年6月、AIサーバや高速通信機器などに用いられる多層基板の層間接続に向けた銅ナノペースト「SAphire B」を開発したと発表した。複数の多層基板ブロック間を接続するための材料で、低抵抗かつ高信頼に接続できる。

　AIサーバや高速ネットワーク機器、半導体検査装置などに搭載されるプリント基板は、100層以上になることもある。このため、製造方法も従来の一体製造から、複数の多層基板ブロックを個別に用意して、これらを接続する方式が採用されている。ところが、これまで接続に用いられてきた導電フィラー型ペーストは電気抵抗が比較的高い、という課題があった。

　こうした中で、「TLPS系材料」や「銀焼結材料」「銅焼結材料」など電気抵抗が小さい導電ペーストが注目されている。特に、銅焼結材料の電気抵抗値はTLPSより小さく銀焼結材料と同等かつ、コストは銀より安い、といった特長がある。ただ、銅焼結材料は実用的な低温焼成ペーストを作製するのが難しかった。

　今回開発した層間接続用銅焼結材料の「SAphire B」は、独自の自己組織化銅ナノ粒子技術を用いたダイアタッチペースト「SAphire D」を層間接続用に再設計。大気下220℃、1MPaの熱プレス工程で、15μΩ・cm級の抵抗値を実現した。

SAphire Bによる基板間接続プロセスの概要［クリックで拡大］ 出所：エレファンテック

　SAphire Bについて信頼性試験を行った。36ビア直列デイジーチェーンサンプルを用い、−55℃／125℃で1000サイクルのヒートサイクル試験を行い、抵抗値変化が1％未満に収まることを確認した。

SAphire Bの主な特性［クリックで拡大］ 出所：エレファンテック

信頼性試験後も良好な接続状態を維持［クリックで拡大］ 出所：エレファンテック