三菱電機、第5世代SiC MOSFETの核 オン抵抗25％減の独自構造：PCIM Expo & Conference 2026（2/2 ページ）

三菱電機は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」で、最新の第5世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETを公開した。従来の第4世代品からオン抵抗を約25％低減したもので、PCIMでは同社パワーデバイス製作所Chief Expertの多留谷政良氏がその概要を語った。

[永山準，EE Times Japan]

「現在の構造では、ここまでがほぼ限界」

　なお、三菱電機の示す図からは、既にセルピッチには余裕がないように見える。多留谷氏はこの点について「現在の構造では、ここまでがほぼ限界だ。さらにオン抵抗を下げるには、新しいデバイス構造が必要になる」と言及していた。次世代ではスーパージャンクションのような新しい構造技術を採用する可能性があるということだ。

第5世代SiC MOSFETの構造について［クリックで拡大］

　その他、プレーナー型のSiC MOSFETについても「用途に応じて使い分けていく考え」とし、次世代品開発も進めていく方針だ。例えば、高耐圧品について現在の3.3kV品だけでなく、4.5kVや6.5kVクラスについても開発を進めているとしている。

三菱電機のSiC MOSFET開発ロードマップ［クリックで拡大］

第5世代品では8インチウエハーに移行

　デバイス構造と並んで、第5世代を支えるもう1つの柱が量産技術だ。第5世代では、デバイス構造の改良に加え、6インチから8インチウエハーへ移行し、ダイコスト低減を図る。また、表面メタライズでは、顧客の多様な実装要求に対応するとした。

6インチから8インチへ移行することでコストの低減を図る。また、表面メタライズでは、顧客の多様な実装要求に対応する［クリックで拡大］

　三菱電機は熊本県菊池市に8インチ SiCウエハー工場を建設し、現在試作を進めている。既存の熊本工場では8インチのシリコンデバイスと6インチのSiCデバイスを量産してきたが、この新工場では8インチ SiCウエハー専用ラインを構築し、検査工程まで一貫した自動化された生産ラインを実現。設備の稼働状況や製造データはMESで一元管理し、生産効率を約30％向上させるとともに、約40％の省人化を実現するとしている。

8インチSiCウエハー［クリックで拡大］