Samsung、高NA EUVをDRAM量産に「業界初」導入へ 28年までに：TSMCは30年に先端ノードで導入（2/2 ページ）

Samsung ElectronicsとASMLは2026年9月8日、高開口数（NA）極端紫外線（EUV）露光および先進半導体製造技術に関する戦略的協業を拡大すると発表。2028年までに「業界初」（両社）となるDRAM量産への高NA EUV露光装置導入を実現する計画だ。

[永山準，EE Times Japan]

既に量産適用のIntel、処理枚数100万枚超に

　高NA EUVの量産適用ではIntelが先行している。既報の通り、Intel Foundryは「Intel 18A」プロセスを採用する「Intel Core Ultra Series 3」（開発コードネーム：Panther Lake）の一部製品で、特定レイヤーの露光に高NA EUVを適用し、既に量産出荷を開始している。

　Intelは2024年、米国オレゴン州の研究開発拠点にEXE:5000を業界で初めて導入。2025年には量産機のEXE:5200Bも業界で初めて導入し、受け入れ試験を完了した。

　Intel FoundryとASMLはこの日、初期の装置認証／テスト、研究開発、量産を合わせた高NA EUVによる累計ウエハー処理枚数が100万枚を超えたことを明らかにした。オーバーレイ精度、スループット、稼働率はいずれもIntel Foundryの想定を満たしているという。Intel 18Aで製造し、一部のレイヤーに高NA EUVを適用した製品についても、NA 0.33のEUV露光装置で形成した同等レイヤーと比較して、同等以上の性能を実現しているとしている。

　Intelによるロジック半導体への先行導入に続き、Samsungが2028年までのDRAM量産導入計画、TSMCが2030年からの先端ノードへの導入計画をそれぞれ発表した形だ。そして、2030年代には12インチフォトマスクへの移行も計画されるなど、高NA EUVの本格的な量産展開に向けた動きが加速している。