次は「ハイパーNA」 ASMLが示す露光装置の基礎と未来：NA 0.75を開発中、導入は2030年以降（2/2 ページ）

最先端半導体の微細化を支える極端紫外線（EUV）露光装置。ASMLは現在量産に使われている開口数（NA）0.33のEUV露光装置から、0.55の高NA、さらに0.75の「ハイパーNA」へと技術開発を進めている。一方、AI時代の半導体では微細化だけでなく、生産性や重ね合わせ精度などの進化も欠かせない。ASMLが示した最新の露光技術ロードマップを紹介する。

[浅井涼，EE Times Japan]

0.75の「ハイパーNA」、2030年以降の方針

　高NAのさらに先に位置付けるのが「ハイパーNA」だ。ASMLはNA 0.75を計画し、既に開発を進めていることを明らかにした。一方で導入時期については2030年以降としながら、「顧客が必要とするタイミングや市場環境を見ながら判断する。まだ明確には決まっていない」とした。

　さらに、微細なパターンを形成できるだけでは、量産装置としては十分ではない。ウエハーを高速に処理するスループットと、何十層もの回路パターンを正確に重ねるオーバーレイ精度も重要になる。

　ASMLが示したロードマップでは、0.33 NAのEUV露光装置の生産性について、現在の「NXE:3800F」の260Wph（ウエハー/時）以上から、「NXE:4200G」で300Wph以上、「NXE:4200H」で330Wph以上へ高めていくとした。同時に装置間オーバーレイ（MMO）も0.9nm以下から0.8nm以下、0.7nm以下へと向上させる計画だ。

ASMLジャパン テクニカルマーケティングディレクター 永原誠司氏［クリックで拡大］ 出所：ASMLジャパン

　さらに高生産性プラットフォームとして、0.33 NAでは400Wph以上を目指す「NXE:4600」、高NAでは250Wph以上を目指す「EXE:5600」もロードマップに掲げた。微細化と同時に、装置1台当たりの生産能力を高めて製造コストを抑える狙いがある。

ASMLは「ナノインプリントも検討しEUVを選択」

　露光装置の微細化技術を巡っては、EUVだけでなくナノインプリントリソグラフィー（NIL）など別方式の開発も進められている。

　ASMLジャパン 代表取締役社長の藤原祥二郎氏はこうしたEUVと競合する方式について「ASMLでは20年以上前に、EUVを含めて次世代技術をどうしていくか議論した際、NILについても検討した。しかし、顧客の意見も聞きながら、最終的に量産現場で使える装置に仕上げることを考え、NILの利点も理解した上でEUVを選択した」と説明した。