onsemiの第4世代SiC MOSFETはトレンチ構造を初採用 比オン抵抗50％減：electronica 2026

onsemiが第4世代の炭化ケイ素（SiC）パワー半導体プラットフォーム「EliteSiC M4」を発表した。同社として初めてトレンチ構造を採用し、従来世代と比べて比オン抵抗を50％低減。EV向けトラクションインバーターの電力密度を最大30％向上できるという。

[永山準，EE Times Japan]

　onsemiは、ドイツ・ミュンヘンで開催中のエレクトロニクス展示会「electronica 2026」（2026年11月10〜13日）において、第4世代の炭化ケイ素（SiC）パワー半導体プラットフォーム「EliteSiC M4」を紹介した。同社として初めてトレンチ構造を採用し、従来世代と比べて比オン抵抗を50％低減した。電気自動車（EV）向けトラクションインバーターの電力密度を最大30％向上できるという。750V耐圧のベアダイを既に提供していて、2027年から最大1200Vの製品を追加する計画だ。

EliteSiC M4［クリックで拡大］ 出所：onsemi

トレンチ構造を初採用、ゲート酸化膜の信頼性も改善

　EliteSiC M4は、onsemiが2026年11月10日に発表した第4世代のSiC MOSFETプラットフォームだ。EVのトラクションインバーターをはじめ、AIデータセンターやエネルギーインフラなど、高効率かつ高電力密度の電力変換が求められる用途を対象とする。

　最大の特徴は、onsemiのSiC MOSFETとして初めてトレンチ構造を採用したことだ。従来世代のEliteSiCではプレーナー構造を使用していた。担当者は、同じチップ面積をより有効に活用できる点を利点として挙げた。

　トレンチ構造は、プレーナー構造に比べて電流密度の向上や比オン抵抗の低減に有利とされる。onsemiは、EliteSiC M4においてトレンチ構造を採用しながら、ゲート酸化膜の信頼性や短絡耐量、動作寿命の改善も図ったとしている。

　onsemiによると、EliteSiC M4では従来の750V耐圧品と比べて比オン抵抗を50％低減。また、ハードスイッチング性能を67％、ソフトスイッチング性能を50％改善したという。

EliteSiC M4の主な性能改善。従来の750V品と比べ、比オン抵抗を50％低減し、ハードスイッチング性能を67％、ソフトスイッチング性能を50％改善したという［クリックで拡大］ 出所：onsemi

EV向けトラクションインバーターの電力密度を最大30％向上

　EliteSiC M4の主要用途として、onsemiがまず重視するのがEVのトラクションインバーターだ。onsemiによると、約10kHzで動作するSiCベースのトラクションインバーターでは、最大出力時の半導体損失の約75％を導通損失が占めるという。M4では比オン抵抗を低減したことで、従来品を使用した構成と比べ、出力電力を30％高められるとしている。

EliteSiC M4を採用したEV向けトラクションインバーターのイメージ。従来世代と比べて電力密度を最大30％向上できるという［クリックで拡大］ 出所：onsemi

　electronicaの会場では、EliteSiC M4を採用した車載トラクションインバーター向けのパワーモジュールを紹介していた。

EliteSiC M4を採用した車載トラクションインバーター向けのパワーモジュール［クリックで拡大］

750V品を提供中、2027年から1200Vまで拡充

　製品展開については、EVのトラクションインバーター向けに750V耐圧のEliteSiC M4ベアダイを既に提供している。onsemiは2027年から、最大1200V耐圧の製品を追加する計画だ。用途もEVだけでなく、AIデータセンター、エネルギーインフラ、宇宙分野などに広げる。

EliteSiC M4の製品展開計画。EV向け750Vベアダイを提供中で、2027年から最大1200Vの製品を追加する予定［クリックで拡大］ 出所：onsemi

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