ロームが25年に第3世代GaN HEMT量産へ TSMCとQoss改善 MOS界面の荒れを改善 低抵抗のダイヤモンドMOSFETを作製 ロームのGaN HEMT、AIサーバ向け電源に搭載決まる 8インチSiCウエハーのパワー半導体を25年1Qに出荷、Infineon SiC市場は「従来より厳しい局面が続く」ローム、EV失速で パワー半導体モジュール基板の熱拡散率評価法を検証 電力損失15%減、三菱電機が第8世代IGBT搭載産業用モジュールを公開