実装面積を半減、ロームの車載充電器向け新SiCモジュール SiC搭載の新型IPMを開発、エアコンの電力消費を大幅削減 ショットキーダイオード内蔵GaNパワートランジスタ、Infineonが開発 ルチル型二酸化ゲルマニウムによる初の縦型SBD開発 パワー半導体のスイッチング損失を自動低減する駆動IC 対応品種が1万超に パワー半導体市場、25年後半に在庫が正常化 26年から成長拡大 STと中国Innoscience、GaN開発/製造で提携 互いの拠点活用