キオクシア北上工場 第2製造棟が稼働開始 第8世代BiCS FLASH製造 デバイス界面の磁気特性に作製プロセスが影響、神戸大が明らかに 「業界初」2nm SRAMがAIデータセンターで果たす役割 「メモリの壁」突破でエッジAIを次の段階に、CEA-LetiとST幹部が語る DRAM市場首位のSK hynix、量産用高NA EUV初導入で競争力強化 DRAM市場でSK hynixが首位独走、Samsung引き離す 25年Q2 「標準化を待てず」 HBMで変わるメモリ技術サイクル Samsungの半導体四半期業績、前期比で増収も利益率は1.4%に激減