ルネサス、2015年度内にSOTB採用マイコンを製品化へ――消費電力1/10以下、0.4V駆動品も可能に：プロセッサ/マイコン（2/2 ページ）

ルネサス エレクトロニクスは2015年度（2016年3月期）中にも新型トランジスタプロセス技術「薄型BOX-SOI（SOTB：Silicon-on-Thin-Buried Oxide）」を用いたマイコンを製品化する。同技術を用いることで、0.4Vという超低電圧駆動のマイコンが実現できるという。

[竹本達哉，EE Times Japan]

那珂工場で早期立ち上げへ

　同開発プロジェクトは2015年2月に終了するが、開発プロジェクトの成果を生かし、「1年以内を目標に製品化する予定」（同社執行役員常務兼第二ソリューション事業本部長 横田善和氏）という。SOTBを導入する製品については、現在検討中だが「恐らくマイコン製品から適用することになるだろう」（横田氏）と示唆。低リーク電流で高速動作が行えるSOTBの利点を生かしやすいウェアラブル機器向けマイコンなどから応用される見込みだ。

　ルネサスでは「SOTB自体は、微細化に対応する技術だが、製品化時はマイコンのプロセスとして価格競争力のある65nmプロセスを採用することになるだろう。既に、300mmウエハー65nmプロセス製造ラインでSOTBの試作を実施していることもあり、垂直立ち上げを図りたい」としている。

プライベートイベント「DevCon JAPAN in OSAKA」で披露されたSOTBトランジスタのデモ。0.6Vを下回る駆動電圧で動作させた