CMOSイメージセンサーが引っ張る3次元積層技術：ビジネスニュース 業界動向（2/2 ページ）

チップを積層し、TSV（シリコン貫通電極）などで接続する3次元IC技術。CMOSイメージセンサーでも、3次元化が進んでいる。

[R Colin Johnson，EE Times]

次は「ハイブリッド接合」

　Cambou氏は、「現在、『ハイブリッド接合』と呼ぶ新技術の開発が進められているところだ」と述べている。「“ハイブリッド”と呼ぶのは、SiO₂接合だけでなく、銅接合も使うからだ。この技術が市場に浸透するには、接合の精度が問題になるだろう。ただ、ハイブリッド接合の利点は、工程をより簡単にできることである。さらに、下のウエハーにおいて、ピクセル内での接続を実現できる可能性がある。これによりピクセルの性能が向上し、ピクセルサイズの低減という、次のステップに進むことが可能になるかもしれない」（同氏）。

右側が「ハイブリッド接合」の構造である。銅-銅によるウエハー接合により、スペースを取るTSVを採用しなくてもよくなる可能性がある 出典：Yole Développement

ハイブリッド接合を適用したCMOSイメージセンサーは、スマートフォンのさらなる薄型化に貢献するだろう 出典：Yole Développement

CMOSイメージセンサー市場は、堅調に成長

　CMOSイメージセンサーの業界をけん引しているのは、ソニーである。Samsung Electronicsなどの大手メーカーも後に続いている。

CMOSイメージセンサーのトレンドは、表面照射型（FSI）から裏面照射型（BSI）に移行している 出典：Yole Développement

　Yole Développementによれば、CMOSイメージセンサーの市場規模は、2015年には100億米ドルに達するという。さらに、自動車や医療、監視/モニタリング、スマートフォンといった分野で採用が進むことにより、2020年までには160億米ドルに成長すると見られている。

CMOSイメージセンサーの市場予測 出典：Yole Développement

【翻訳：田中留美、編集：EE Times Japan】