不揮発性メモリを脳神経コンピューティングに活用：福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー（7）（3/3 ページ）

今回はセッション16〜18の講演を紹介する。セッション17では、不揮発性メモリを利用したニューロモルフィックシステム（脳神経系を模倣した低消費電力システム）の講演が相次いだ。

[福田昭，EE Times Japan]

接触ギャップが5nmと微小なナノサイズのリレー

　セッション18（プロセス技術と製造技術）のテーマは「N/MEMSの共振器とセンサー、アクチュエータ」である。テーマの通り、極めて微小な電気機械素子の研究成果が続出する。

　University of California, Berkeleyは、ナノメートルサイズの論理リレー（NEMロジックリレー）でエネルギー遅延時間積を最適化する手法を提唱する（講演番号18.1）。一般的にはリレーの硬さを減らすことがスイッチング・エネルギーの最小化に結び付く。この研究ではリレーのバネ定数を相対的に大きくすることでスイッチング・エネルギーを小さくした。接触ギャップがわずか5nmと小さなNEMロジックリレーでエネルギー遅延時間積を最適化して見せる。

　Tsinghua Universityは、共振周波数が最大14GHzと高い表面弾性波（SAW）トランスデューサを試作し、その概要を発表する（講演番号18.6）。トランスデューサの材料はニオブ酸リチウム（LiNbO₃）、配線幅は30nmと極めて細い。

　Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)を中心とする研究チームは、多孔質の高分子フィルムを摩擦電気エネルギーの収穫素子に活用することを提案する（講演番号18.7）。多孔質層を摩擦帯電層としたときの出力特性を解析した。

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（次回に続く）

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