超高密度のSRAM技術と超広帯域のDRAM技術：福田昭のデバイス通信 ISSCC 2016プレビュー（6）（2/2 ページ）

セッション17とセッション18のテーマはメモリだ。セッション17では、Samsung Electronicsが、10nmのFinFETを用いた高密度SRAMの開発成果を披露する。メモリセルの面積が0.04μm2と、過去最小のSRAMセルを実現している。

[福田昭，EE Times Japan]

307Gバイト/秒の超広帯域転送を可能にしたHBM2 DRAM

　セッション17に続いて開催されるセッション18のメインテーマは「メモリ」、サブテーマは「広帯域DRAM」である。このセッションでは、データ転送速度を200Gバイト/秒〜300Gバイト/秒に高めたHBM（High-Bandwidth Memory） DRAM技術の発表が相次ぐ。

　Samsung Electronicsは、データ転送速度が307Gバイト/秒と高いHBM2 DRAM技術を発表する（講演番号18.2）。製造技術は20nmのCMOS、電源電圧は1.2Vである。HBMは最大で8枚のDRAMシリコンダイを積層する。ウエハーレベルで実動作速度で検査可能なテスト回路と、複数のオンチップ温度センサーと連動したリフレッシュ制御回路を内蔵する。

　SK Hynixは、データ転送速度が256Gバイト/秒のHBM DRAM技術を報告する（講演番号18.3）。記憶容量は64Gビット（8Gビットのシリコンダイを8枚積層）、入出力チャンネルは8チャンネル、電源電圧は1.2Vである。

　この他、入出力ピン当たりのデータ転送速度が9Gビット/秒と高いGDDR5 DRAM技術をSamsung Electronicsが発表する（講演番号18.1）。記憶容量は8Gビット、製造技術は20nmである。NBTI劣化のモニター回路とジッタの低減回路、分散電源回路を搭載した。

　SK Hynixは、2014年9月に開発を明らかにしたWide-IO2 DRAM^＊）の技術概要を報告する（講演番号18.4）。データ転送速度は68.2Gバイト/秒と高い。記憶容量は8Gビットである。電源電圧は1.1V。

＊）関連記事：SKハイニックス、次世代モバイル用DRAM「Wide I/O 2」を開発――20nmプロセス採用

DRAMのデータ転送速度の推移。2015年11月16日に東京で開催されたISSCC記者会見の資料から（クリックで拡大）

（次回に続く）

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