連載
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術（JSR Micro編）：福田昭のデバイス通信（89）（2/2 ページ）
大手レジストベンダーJSR Microの講演では、主に同社とimecの共同開発の内容が発表された。その1つが、JSR MicroのEUV（極端紫外線）レジストをimec所有のEUV露光装置で評価するというもので、化学増幅型のEUVレジストによってハーフピッチ13nmの平行直線パターンを解像できたという。さらに、5nm世代のEUVリソグラフィの目標仕様と現状も紹介された。
5nm世代に向けた現状と課題
そしてさらに先の世代である5nm世代のEUVリソグラフィに向け、目標仕様と現状を示した。目標仕様には「感度（平方センチ当たりの露光エネルギー）」「パターンの品質（LWRあるいはCDU）」「解像力（ハーフピッチ）」の3つの項目がある。ラインアンドスペース（L&S）とコンタクトホール（CH）のそれぞれについて、数値を提示した。
L&Sの場合、解像力の目標仕様は13nmであり、既に達成しつつある。感度の目標仕様は20mJ以下で、現状の25mJからはさらに感度を高めなければならない。LWRの目標仕様は2.0nm以下である。現状のLWRである3.5nmとはかなり開きがあり、一層の改良が求められる。
CHの場合、解像力の目標仕様は18nmであり、既に達成しつつある。感度の目標仕様は20mJ以下で、現状の45mJとは大きな開きがある。大幅な改善が望まれる。CDU（Critical Dimention Uniformity：パターン寸法の均一性）の目標仕様は2.0nmであり、現状の2.5nmはかなり良いところまで来ている。あと少しの改良が必要だ。
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