SanDiskが語る、抵抗変化メモリの消費電流と速度：福田昭のストレージ通信（47） 抵抗変化メモリの開発動向（6）（2/2 ページ）

今回は、抵抗変化メモリ（ReRAM）の主な性能に焦点を当てる。具体的にはスイッチング電流（書き込み電流）やスイッチング速度（動作速度）、スイッチング電圧という3つの観点から紹介する。

[福田昭，EE Times Japan]

スイッチング速度はDRAMに近い値も

　続いてスイッチング時間（動作速度）である。スイッチング時間も、セット時間とリセット時間が同じとは限らない。動作原理の違いによって両者には違いが生じることがある。試作結果を見ると、セット時間とリセット時間がほぼ同じであることが多い。

　スイッチング時間そのものは、10ナノ秒〜100ナノ秒とDRAMに匹敵する高速なメモリセルがあるかと思えば、100マイクロ秒〜1ミリ秒とNANDフラッシュメモリ並みに遅いメモリセルもあったりする。ばらつきが非常に大きい。ただし全体的にはDRAMに近いスイッチング時間を実現している試作結果が多く、期待が持てる。

試作された抵抗変化メモリ（ReRAM）セルのスイッチング時間。リセット時間を縦軸、セット時間を横軸にプロットした（クリックで拡大） 出典：SanDisk

スイッチング速度とスイッチング電圧の複雑な関係

　セット動作とリセット動作に必要な電圧（スイッチング電圧）もさまざまだ。1Vから7Vまでの試作結果がある。セット時間、リセット時間とスイッチング電圧は、試作結果を見る限り、かなり複雑な関係にある。

スイッチング時間（横軸）とスイッチング電圧（縦軸）。赤い丸はセット動作、青い「＊」はリセット動作を示す（クリックで拡大） 出典：SanDisk

　スイッチング時間の長短と、スイッチング電圧の大小は、必ずしも依存しない。原理的にはスイッチング時間を短くするには、スイッチング電圧を上げる必要がある。しかし実際の試作結果には、大きなばらつきが存在している。

（次回に続く）

⇒「福田昭のストレージ通信」連載バックナンバー一覧