ASML、EUVリソグラフィ開発を加速：SPIE Advanced Lithography 2017（2/2 ページ）

半導体リソグラフィ技術に関する国際会議「SPIE Advanced Lithography 2017」において、ASMLがEUV（極端紫外線）スキャナーを発表した。

[Rick Merritt，EE Times]

第2世代のEUVスキャナーの概要も

　ASMLは、2016年11月に発表した第2世代のEUVスキャナーについても、今回初めて詳細を明らかにした。Carl Zeissとの共同開発により、アップグレード済みの光学部品を搭載した装置だ。寸法は3400の約2倍だが、3400で製造した場合に比べて40％の微細化を実現するという。

第2世代のEUVスキャナーの構造。かなり大型の装置だ（クリックで拡大） 出典：ASML

　今回の新型スキャナーの中心となるのが、Carl Zeissの新しい光学部品だ。光源など他のコンポーネントは、今後徐々にアップグレードする予定だという。

　Carl Zeissは既に、一部のコンポーネントを発注し、人間くらいのサイズの光モジュール向けに新しい研磨機を製作しているという。今回初めて、真空チャンバー内部に、新しい検査装置が2つ必要になるようだ。

　新型装置は、16.5×26mmの磁場を2つ、一度に露光することが可能だという点で、3400とは異なる。x軸、y軸で、それぞれ異なる倍率を使用するためだ。3400の2倍の加速度で装置のウエハー上を、4倍の加速度でマスク上を移動することにより、スループット目標を達成するという。

　装置のフォーカス精度は30nmで、3400Bの半分程度となる。実用化の際には、1時間当たり180枚以上のウエハー処理能力と、22〜14nmのピッチを実現する予定だ。

GLOBALFOUNDRIESの採用例

　GLOBALFOUNDRIESは、米国ニューヨーク州マルタの自社工場で、ASMLの「NXT:1970Ci」および「NXE:3300B」スキャナーを使用し、2週間でウエハー20枚のロットを5つ処理した作業について説明している。さまざまな種類の液浸ツールを使用した場合に匹敵するクロスプラットフォーム性能を実現したという。ただし、修正技術に関しては一部、限界があることが判明したとしている。

　それでも同社は、「EUVが、7nmプロセスチップの量産において、特定のレイヤーに適用される可能性は非常に高い」と主張する。同社は2016年9月の時点で、7nmプロセスへのアップグレードを2018年に行う予定だと発表していたが、今回は、2020年ごろになる見込みだと述べている。

【翻訳：田中留美、編集：EE Times Japan】