連載
IEDM 2017の技術講演初日、高密度ReRAMと紙基板の2次元トランジスタ：福田昭のデバイス通信（118） 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー（2）（2/2 ページ）
技術講演初日である2017年12月4日から、注目の講演を紹介する。抵抗変化メモリ（ReRAM）や、折り曲げ可能な電子回路（フレキシブルエレクトロニクス）関連で、興味深い講演が多い。
市販の紙を基板とする2次元高速トランジスタ
ReRAM以外の注目講演では、折り曲げ可能な電子回路（フレキシブルエレクトロニクス）に関する研究成果が目立つ。
The University of Texasは、市販の紙を基板とする2次元トランジスタを試作してみせた（講演番号5.2）。材料はグラフェンと二硫化モリブデン（MoS2）である。GHzクラスの動作周波数を確認した。折り曲げられて安価なトランジスタ回路を実現可能だとする。
ETH Zürich他の研究グループは、折り曲げ可能なCMOS ICをGSTカルコゲナイドのpチャンネルFETとIGZOのnチャンネルFETによって作製した（講演番号8.1）。2017段のCMOSインバータとNAND論理ゲートを試作している。作製した回路は、半径6mmまで折り曲げられることを確認した。
この他、National University of Singaporeは、検出波長を2μmから8μmの範囲で変えられる赤外線フォトトランジスタの試作結果を報告する（講演番号8.4）。またHouston Methodist Research Instituteは、人体に埋め込んで遠隔操作によって薬剤を放出する超小型モジュール技術を発表する（講演番号10.1）。
（次回に続く）
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