連載
IEDM 2017の講演3日目（12月6日）午後：絶縁体／金属の相転移が拓く新デバイス：福田昭のデバイス通信（124） 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー（8）（2/2 ページ）
これまで7回にわたり「IEDM 2017」の概要と注目の技術講演を紹介してきた。今回はIEDM 2017レビュー編の最終回として、開催最終日である12月6日午後のセッションから注目講演を紹介する。
GAAトランジスタによる初めての集積回路が動作
セッション37では、GAA（ゲートオールアラウンド）トランジスタによって集積回路を初めて試作した結果が発表される。
imecとApplied Materialsの共同研究チームは、シリコンナノワイヤの積層構造をチャンネルとするGAAトランジスタによってリング発振器を試作した結果を発表する（講演番号37.4）。CMOSプロセスで製造した。ゲート長の異なる3種類の41段リング発振器を作製し、いずれも動作を確認している。
そしてセッション38では、3次元構造のクロスポイントメモリを想定した、スピン注入磁気メモリ（STT-MRAM）の研究成果が登場する。
Avalanche Technologyは、1個のセレクタと1個の磁気トンネル接合（MTJ）でメモリセルを構成する、STT-MRAM技術を発表する（講演番号38.1）。セレクタのオンオフ比は10の7乗と高く、リーク電流は1pAと小さく、しきい電圧は0.3Vと低く、スイッチング時間は10ナノ秒と短い。メモリセルを試作して磁化反転が起こっていることを見せる。
（次回に続く）
⇒「福田昭のデバイス通信」連載バックナンバー一覧
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
IEDM 2017の全体スケジュールと基調講演
ことしも「IEDM」の季節がやってきた。最先端電子デバイスの研究開発に関する国際学会「IEDM 2017」が、12月に米国で開催される。本シリーズでは、概要と注目の技術講演を紹介していく。
二次元半導体、炭素＋窒素＋ホウ素で作る
電子材料として注目を集めるグラフェン。厚みが原子1つしかないため、微細化に役立つ材料だ。ところが、グラフェンには、半導体にならないという欠点がある。これを改善する研究成果が現れた。炭素と窒素、ホウ素を利用して、規則正しい構造を備えた平面状の半導体を合成できた。グラフェンへのドーピングなどでは得られなかった成果だ。
代表的な強誘電体材料（前編）〜圧電セラミックス系材料
今回から2回にわたり、代表的な強誘電体を説明する。本稿では、強誘電体メモリへの応用を見込んだ最も古い材料であるチタン酸バリウムをはじめ、最も重要な強誘電体材料であるジルコン酸チタン酸鉛（PZT）、そしてPZTの対抗馬として名乗りを上げたタンタル酸ビスマス酸ストロンチウム（SBT）、ビスマスフェライト（BFO）を解説しよう。
ISS 2017で語られた半導体技術の今後（前編）
米国で開催された「Industry Strategy Symposium（ISS）」（2017年1月8〜11日）では、半導体技術の今後に関する議論が幾つか展開された。ナノワイヤトランジスタやGAA（Gate All Around）トランジスタといった次世代トランジスタ技術や、増加の一途をたどる設計コストなどについて、専門家たちが見解を披露している。
FinFETの次なるトランジスタはナノワイヤ？
ベルギーで開催された「IMEC Technology Forum 2016（ITF 2016）」（2016年5月24〜25日）では、FinFETの次なるトランジスタとして、ナノワイヤが話題に上った。
まとめ：新世代のメモリを創造する二酸化ハフニウム/ジルコニウム
今回は、強誘電体メモリに関する2つのシリーズ「強誘電体メモリの再発見」と「反強誘電体が起爆するDRAM革命」の要点をまとめる。2011年に二酸化ハフニウム強誘電体が公表されてからの研究成果を振り返るとともに、これからの課題についても触れておきたい。