Lam、3Dメモリ向け絶縁膜エッチング技術を開発：より高いパワーレベルが利用可能に

Lam Research（ラムリサーチ）は、エッチングプラットフォーム「Sense.i（センスアイ）」向けに開発した絶縁膜エッチング技術「Vantex」を発表した。次世代の3D NAND型フラッシュメモリやDRAM製造におけるエッチング用途に向ける。【修正あり】

[馬本隆綱，EE Times Japan]

エッチングプラットフォーム「Sense.i」向け

　Lam Research（ラムリサーチ）は2021年2月、エッチングプラットフォーム「Sense.i（センスアイ）」向けに開発した絶縁膜エッチング技術「Vantex」を発表した。次世代の3D NAND型フラッシュメモリやDRAMの製造工程におけるエッチング用途に向ける。

【修正：2021年2月12日18時20分　当初「誘電体エッチング技術」としておりましたが「絶縁膜エッチング技術」の誤りです。お詫びして修正致します。】

　開発したVantexチャンバーは、高いスループットを維持しながら、高アスペクト比でエッチングを行うことができる。これまでの高周波（RF）パワーに比べ、さらに高いパワーレベルを利用することが可能である。RFパルス技術の向上と今回のパワー増加によって、デバイスの性能向上につながる厳しいCD（限界寸法）制御を実現できるという。

　Vantex技術は、エッチングの垂直性を制御して、3D NANDフラッシュに対する厳しい位置合わせ要件を満たし、300mmウエハー全体にわたり歩留まりを向上させるとする。

　Vantexは2021年の量産に向け、再受注ベースで、メモリ顧客を対象に出荷される予定だ。

Sense.i向けのVantexチャンバー