Nexperia、追加投資で生産／研究開発体制を強化：パワー半導体の需要拡大に対応
Nexperia（ネクスペリア）は2021年2月、パワー半導体の需要拡大に対応するため、2021年中にも大幅な追加投資を行い、生産能力と研究開発の体制を強化する。
ワイドバンドギャップ半導体の製造に向けた投資も
Nexperia（ネクスペリア）は2021年2月、パワー半導体の需要拡大に対応するため、2021年中にも大幅な追加投資を行い、生産能力と研究開発の体制を強化すると発表した。
今回発表した投資計画には、親会社であるWingtech Technologyが2020年に発表した、上海・臨港（中国）に建設する300mmウエハー対応のパワー半導体ウエハーファブも含まれる。18億5000万米ドル（120億人民元）を投資する新工場は、2022年の稼働を予定している。ウエハーの処理能力は年間で40万枚と推定される。
Nexperiaは、ハンブルク（ドイツ）とマンチェスター（英国）にあるウエハーファブで、生産効率を高めるための投資と新たな200mm技術の導入を、2021年に行う計画である。さらにハンブルクのファブでは、GaN（窒化ガリウム）などワイドバンドギャップ半導体製造に向けた新技術への追加投資も予定している。
研究開発に対する投資も積極的だ。Nexperiaは既に、総売上高に占める研究開発投資の比率を約9％に引き上げることを公表している。2020年には、ペナン（マレーシア）と上海にグローバル研究開発センターを新設。これに続き、香港やハンブルク、マンチェスターにある既存の研究開発センターも拡充しているという。
さらに、先進的な自動化設備の導入やシステムインパッケージ（SIP）の生産能力増強も含め、広東省（中国）やセレンバン（マレーシア）、カブヤオ（フィリピン）の工場でテスト／アセンブリ能力を強化する予定である。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
半導体不足という「有事」が問うニッポン半導体産業のあるべき姿
2021年2月6日付の日本経済新聞1面に「半導体『持たざる経営』転機 有事の供給にリスク」という記事が掲載された。昨今はこの記事以外にも半導体業界に関する記事が注目を集めているようで、この業界に長らく関わっている筆者としてもありがたいことだ。ただ、半導体業界関連の記事をよく読んでみると「そうかな？」と首をかしげる記事も少なくない。冒頭に挙げた記事も、分かりやすく簡潔にまとまっているように見えるが、逆にまとまり過ぎていて、筆者の主張したいことが多々こぼれ落ちているように読めた。そこで、今回は半導体産業のあるべき姿について、私見を述べさせていただくことにする。
パワー半導体市場、2020年予測を一部下方修正
富士経済は、2020年のパワー半導体世界市場について、2020年2月に発表した予測を一部下方修正した。前回予想に比べSi（シリコン）パワー半導体は大幅に縮小、次世代パワー半導体は伸び率が鈍化する見通しとなった。
SiC-MOSFETの電子移動度が倍増、20年ぶりに大幅向上
京都大学が、SiCパワー半導体の研究で再び快挙を成し遂げた。京都大学 工学研究科 電子工学専攻の木本恒暢教授と同博士課程学生の立木馨大氏らの研究グループは2020年9月8日、新たな手法による酸化膜形成により、SiCと酸化膜（SiO2）の界面に発生する欠陥密度を低減し、試作したn型SiC-MOSFETにおいて従来比2倍の性能を実現したと発表した。
25年にトップシェアへ、SiC市場をリードする“後発・ローム”
パワー半導体市場に後発として参入しながら、本格的な拡大が見込まれるSiC（炭化ケイ素）パワーデバイス市場において、先進的な研究開発を進めてきたローム。今回、同社取締役 上席執行役員CSO（最高戦略責任者）兼パワーデバイス事業統括の伊野和英氏に話を聞いた。
新手法の酸化膜形成でSiC-MOSFETの性能が10倍に
SiCパワー半導体で30年来の課題となっていた欠陥の低減が、大きく前進しようとしている。京都大学と東京工業大学（東工大）は2020年8月20日、SiCパワー半導体における欠陥を従来よりも1桁低減し、約10倍の高性能化に成功したと発表した。
SiCはウエハー品質が課題、GaNは統合がトレンドに
パワーエレクトロニクスは、GaN（窒化ガリウム）とSiC（炭化ケイ素）の採用によって、興味深い道を歩んできた。フランスの市場調査会社であるYole Developpement（以下、Yole）は、これらのワイドバンドギャップ材料の概観を発表した。