Nexperia、追加投資で生産/研究開発体制を強化:パワー半導体の需要拡大に対応
Nexperia(ネクスペリア)は2021年2月、パワー半導体の需要拡大に対応するため、2021年中にも大幅な追加投資を行い、生産能力と研究開発の体制を強化する。
ワイドバンドギャップ半導体の製造に向けた投資も
Nexperia(ネクスペリア)は2021年2月、パワー半導体の需要拡大に対応するため、2021年中にも大幅な追加投資を行い、生産能力と研究開発の体制を強化すると発表した。
今回発表した投資計画には、親会社であるWingtech Technologyが2020年に発表した、上海・臨港(中国)に建設する300mmウエハー対応のパワー半導体ウエハーファブも含まれる。18億5000万米ドル(120億人民元)を投資する新工場は、2022年の稼働を予定している。ウエハーの処理能力は年間で40万枚と推定される。
Nexperiaは、ハンブルク(ドイツ)とマンチェスター(英国)にあるウエハーファブで、生産効率を高めるための投資と新たな200mm技術の導入を、2021年に行う計画である。さらにハンブルクのファブでは、GaN(窒化ガリウム)などワイドバンドギャップ半導体製造に向けた新技術への追加投資も予定している。
研究開発に対する投資も積極的だ。Nexperiaは既に、総売上高に占める研究開発投資の比率を約9%に引き上げることを公表している。2020年には、ペナン(マレーシア)と上海にグローバル研究開発センターを新設。これに続き、香港やハンブルク、マンチェスターにある既存の研究開発センターも拡充しているという。
さらに、先進的な自動化設備の導入やシステムインパッケージ(SIP)の生産能力増強も含め、広東省(中国)やセレンバン(マレーシア)、カブヤオ(フィリピン)の工場でテスト/アセンブリ能力を強化する予定である。
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