スマートフォンが搭載してきたNANDフラッシュの変遷：福田昭のストレージ通信（184） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（11）（2/2 ページ）

今回は、スマートフォンが搭載してきたNANDフラッシュメモリの変遷をたどる。

[福田昭，EE Times Japan]

中国のファーウェイと小米も最先端の3D NANDフラッシュを採用

　Choe氏は、中国のスマートフォンメーカーであるファーウェイ（Huawei）と小米科技（Xiaomi）が2019年モデルと2020年モデルに搭載したNANDフラッシュメモリについても、分析結果を示していた。HuaweiとXiaomiも、最先端の3D NANDフラッシュを積極的に導入していることがうかがえる。

ファーウェイ（Huawei）と小米科技（Xiaomi）が2019年と2020年に発売したスマートフォンの搭載部品 （クリックで拡大） 出典：FMS 2020の講演「Technology Trend：NAND ＆ Emerging Memory」の配布資料

　Huaweiのスマートフォンはキオクシア、SK hynix、Micron Technology、Samsung、Western Digital（WD）の3D NANDフラッシュを採用している。シリコンダイの記憶容量は128G〜512Gビット、ワード線の積層数は64〜96層、多値記憶方式はTLCである。

　XiaomiのスマートフォンはほとんどがSamsungの3D NANDフラッシュを採用しており、1機種だけがSK hynixの3D NANDフラッシュを搭載している。シリコンダイの記憶容量は128G〜512Gビット、ワード線の積層数は76〜92層、多値記憶方式はTLCである。

（次回に続く）

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