東芝、Dual SiC MOSFETモジュール2製品を発表：耐圧1200V品と1700V品

東芝デバイス＆ストレージは、産業用機器向けにSiC（炭化ケイ素）MOSFETチップを搭載したDual SiC MOSFETモジュール2製品を発表した。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

パッケージは一般的なシリコンIGBTモジュールと取り付け互換

　東芝デバイス＆ストレージは2022年1月、産業用機器向けにSiC（炭化ケイ素）MOSFETチップを搭載したDual SiC MOSFETモジュール2製品を発表した。

Dual SiC MOSFETモジュールの外観

　新製品は、耐圧が1200Vでドレイン電流定格が600Aの「MG600Q2YMS3」と、耐圧が1700Vでドレイン電流定格が400Aの「MG400V2YMS3」である。これらは、一般的なシリコンIGBTモジュールと取り付け互換性のあるパッケージ「2-153A1A」で供給する。

　また、一般的なシリコンIGBTモジュールと比べ、低損失特性を実現している。MG600Q2YMS3のドレイン−ソース間オン電圧（センス端子）は0.9V（代表値）、ターンオンスイッチング損失は25mJ（同）、ターンオフスイッチング損失は28mJ（同）である。同様にMG400V2YMS3は、0.8V（代表値）、28mJ（同）、27mJ（同）となっている。また、いずれも定格抵抗が5.0kΩのサーミスターを内蔵した。

　新製品は、鉄道車両向けのインバーターやコンバーター、再生可能エネルギー発電システム、モーター制御機器、高周波絶縁DC-DCコンバーターといった用途に向ける。