高電圧パワーIC駆動用ゲートドライバーICを開発：xEV向けインバーターシステム用
ルネサス エレクトロニクスは、xEV（電動車）向けインバーターシステムに搭載するIGBTやSiC（炭化ケイ素）MOSFETを駆動するためのゲートドライバーIC「RAJ2930004AGM」を開発、サンプル出荷を始めた。
絶縁耐圧を強化、xEVバッテリーの高電圧化に対応
ルネサス エレクトロニクスは2023年1月、xEV（電動車）向けインバーターシステムに搭載するIGBTやSiC（炭化ケイ素）MOSFETを駆動するためのゲートドライバーIC「RAJ2930004AGM」を開発、サンプル出荷を始めた。
RAJ2930004AGMは、絶縁耐圧3.75kVrmsのマイクロアイソレーターを内蔵した。これにより、1200V耐圧のパワー半導体にも利用できるなど、xEVバッテリーの高電圧化に対応した。また、CMTI（コモンモード過渡耐圧）は150V/ナノ秒以上を実現しており、より高電圧で高速スイッチングが要求されるインバーターシステムにおいても、安定した通信性能を維持できるという。
RAJ2930004AGMの出力ピーク電流は10A、動作温度範囲は−40〜125℃（ジャンクション温度は最大150℃）である。なお、保護／故障検出機能として、アクティブミラークランプ機能やソフトターンオフ機能、過電流保護機能（DESAT保護機能）、低電圧誤動作防止機能（UVLO）、Faultフィードバックといった機能を備えている。パッケージは16端子SOICで供給する。
RAJ2930004AGMの量産は、2024年第1四半期（1〜3月）を予定している。さらに、新製品とマイコンやIGBT、パワーマネジメントICなどを組み合わせた「xEVインバーターキットソリューション」も開発中で、同キットは2023年上期中に発売する予定。
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